近日，長(cháng)鑫存儲技術(shù)有限公司12英寸存儲器晶圓制造基地二期項目第三方檢測進(jìn)行公開(kāi)招標，經(jīng)過(guò)與合肥市多家檢測單位方案競標，安徽建科質(zhì)檢二站材料所成功中標。
長(cháng)鑫存儲技術(shù)有限公司12英寸存儲器晶圓制造基地二期項目位于合肥市經(jīng)開(kāi)區空港產(chǎn)業(yè)園啟德路與團肥路交口西南地塊二期地塊內，項目總建筑面積約 62 萬(wàn)平米，其中包含五間廠(chǎng)房（FAB2-1、FAB2-2、WWT、CUB、PMD）、市政道排CCYV及其他配套設施。項目建成投產(chǎn)后，將取得世界DRAM市場(chǎng)約9%份額，也有效地填補國內DRAM市場(chǎng)的空白，躋身全球DRAM主要廠(chǎng)商之列，成為絕對的國內半導體巨頭，合肥將跨入世界級存儲器制造重鎮的行列。
本次投標時(shí)間緊、任務(wù)重，自得到招標信息后，二站領(lǐng)導十分重視，針對項目精心布置投標工作，項目成員認真研究招標文件，領(lǐng)會(huì )招標意圖，制定了周密的工作計劃，事前準備并精心組織實(shí)施，高效率高質(zhì)量編制投標文件。最終，憑借優(yōu)秀的檢測方案和合理的報價(jià)，贏(yíng)得了招標單位的肯定，順利中標。
